三极管的饱和压降是指在饱和状态下，三极管的集电极（C）与发射极（E）之间的电压。这个压降通常在0.2V至0.3V之间，具体数值取决于三极管的材料（硅管或锗管）和结构。硅管通常有较高的饱和压降，约为0.3V，而锗管则较低，约为0.1V。
需要注意的是，饱和压降与三极管的放大倍数（β）和基极电流（Ib）有关，但主要受材料的影响。在饱和状态下，三极管的集电极电流不再随基极电流的增加而增加，而是由电源和负载决定。
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